三星正积极推进 2nm 工艺,希望能够在前沿领域挑战台积电。三星官方公布了最新工艺技术路线图,计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺,2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。与此同时,该公司还公布了 SF2 工艺的一些特性。
三星的 SF2 工艺是在今年早些时候推出的第三代 3 纳米级(SF3)工艺的基础上进一步优化的。与 SF3 相比,SF2 工艺可以在相同的频率和复杂度下提高 25% 的功耗效率,在相同的功耗和复杂度下提高 12% 的性能,在相同的性能和复杂度下减少 5% 的面积。
为了让 SF2 工艺更具竞争力,三星还将为该工艺提供一系列先进的 IP 组合,包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。
三星的 SF2 工艺是在今年早些时候推出的第三代 3 纳米级(SF3)工艺的基础上进一步优化的。与 SF3 相比,SF2 工艺可以在相同的频率和复杂度下提高 25% 的功耗效率,在相同的功耗和复杂度下提高 12% 的性能,在相同的性能和复杂度下减少 5% 的面积。
为了让 SF2 工艺更具竞争力,三星还将为该工艺提供一系列先进的 IP 组合,包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

三星半导体和设备解决方案(DS)部门负责人 Kye Hyun Kyung 此前公开表示,要在未来 5 年内超越台积电和其它行业巨头。
据韩国新闻媒体 Money Today 援引的内部消息称,三星的半导体代工部门正在快速推进其 2 纳米生产计划,三星正整合优势资源,加速 2nm 技术的研发。一些业内人士甚至在猜测,三星可能会跳过 3 纳米生产,直接跨入 2 纳米制造工艺。
据韩国新闻媒体 Money Today 援引的内部消息称,三星的半导体代工部门正在快速推进其 2 纳米生产计划,三星正整合优势资源,加速 2nm 技术的研发。一些业内人士甚至在猜测,三星可能会跳过 3 纳米生产,直接跨入 2 纳米制造工艺。

俄罗斯工业和贸易部提出了微电子发展路线图。报道称,当前该国的微电子企业可生产 130nm 制程产品,最新的目标是 2026 年量产 65nm 芯片节点工艺、2027 年在本土制造 28nm 芯片、2030 年则量产 14nm。
专家认为,这些技术将有助于生产基于 Linux 和 RISC-V 的经济型笔记本电脑。
早在去年,俄罗斯政府已经初步制定了新的微电子发展计划,到 2030 年需要投资约 3.19 万亿卢布(备注:当前约 2322.32 亿元人民币)的资金,将用于开发本地半导体生产技术、国内芯片开发、数据中心等基础设施,同时将专注于培养本地人才及营销自研芯片、解决方案。
半导体制造方面,俄罗斯计划斥资 4200 亿卢布(当前约 305.76 亿元人民币)用于新的制造技术,其中的一个短期目标是今年年底前利用 90nm 制程来提高当地芯片产量。
昨日报道,《生意人报》称俄罗斯 Norsi-Trans 公司将开始生产使用龙芯处理器的数据存储系统、服务器和电脑。俄罗斯数据存储系统开发商协会执行总监声称,俄方企业将采购性能与英特尔 i5 相仿的龙芯 5000 系列处理器(12nm 工艺)。
而 Norsi-Trans 的总经理 表示,公司目前已经采购了约 100 个龙芯处理器,将试生产一批使用龙芯处理器的设备。
早在去年,俄罗斯政府已经初步制定了新的微电子发展计划,到 2030 年需要投资约 3.19 万亿卢布(备注:当前约 2322.32 亿元人民币)的资金,将用于开发本地半导体生产技术、国内芯片开发、数据中心等基础设施,同时将专注于培养本地人才及营销自研芯片、解决方案。
半导体制造方面,俄罗斯计划斥资 4200 亿卢布(当前约 305.76 亿元人民币)用于新的制造技术,其中的一个短期目标是今年年底前利用 90nm 制程来提高当地芯片产量。
昨日报道,《生意人报》称俄罗斯 Norsi-Trans 公司将开始生产使用龙芯处理器的数据存储系统、服务器和电脑。俄罗斯数据存储系统开发商协会执行总监声称,俄方企业将采购性能与英特尔 i5 相仿的龙芯 5000 系列处理器(12nm 工艺)。
而 Norsi-Trans 的总经理 表示,公司目前已经采购了约 100 个龙芯处理器,将试生产一批使用龙芯处理器的设备。