<P> 好不容易找到华硕A632N能识别的4g sd卡结果还是问题sd卡。</P><BR>
<P> 昨天在中关村科贸花245买了一个创见4g sd “捷和”的行货,通过防伪电话查询是“捷和”的行货，没错。用川宇SDHC转接卡由台式机向卡里拷贝导航软件，考完后插入华硕632可以正常运行导航软件，但是当我修改程序通过台式机反复向卡里复写同一文件后，卡出问题了，pda不认了，台式机对卡的识别也不正常了，只有格式化才可以正常使用，格式化后发生了容量损失现象，由一开始的3.73G变为3.72G。通过反复试验，种种迹象表明我买的是前些时候媒体报道的 <FONT color=red>千万问题SD卡抛货中国</FONT><FONT color=#551a8b> 的问题sd卡。</FONT></P><BR>
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<P> 抛货背后揭示问题sd卡产生之谜（zt）</P><BR><BR>
<P> 约在二个星期前,台湾传出"慧荣问题芯片导致SD存储卡降价抛货"的消息,称慧荣等控制芯片厂商未能即时赶上三星电子的技术升级,导致采用其产品的SD存储卡会在使用后的2-3个月出现数据丢失,并由此造成SD存储卡的降价抛售。<BR></P><BR><BR>
<P> ■SD存储卡及产业背景 一张SD存储卡主要由闪存芯片和控制芯片组成。三星电子是全球主要的闪存芯片厂商之一,成立于1997年的台湾慧荣则是全球最主要的控制芯片厂商,占据了SD/MMC卡控制芯片市场近40%的份额。慧荣控制芯片产品约75%的出货量,被下游SD存储卡厂商用于跟三星电子的NAND型Flash芯片组合,生产SD存储卡。 </P><BR><BR>
<P> ■缘起三星转产闪存芯片主要有两种架构，SLC架构和MLC架构相比，存储速度、寿命、省电性、稳定性等表现均优于后者，而价格一般会高出MLC约15％，自今年8月份开始,三星电子的NAND型Flash闪存芯片全面由原来的SLC(Single-Level-Cell)制程转向MLC(Multi Level Cell)制程。后者与前者相比,具有很大的成本优势 </P><BR><BR>
<P> ■下游存储卡制造商仍使用原配套控制芯片在闪存芯片制造商由SLC制程转为MLC制程中,与之对应,SD存储卡生产商使用的控制芯片也要更改设计。然而,三星急速转产后,慧荣等配套控制芯片厂却没有完全做好准备。来自台湾的消息称,由于控制芯片厂商的设计错误,下游存储卡制造商仍然沿用了针对SLC芯片的NOP写入方式,导致数据在MLC制程芯片上无法被稳定存储,会在用户使用2-3个月后出现数据丢失。</P><BR>
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<P> [<FONT color=red>深度原理</FONT>] 在闪存芯片制造商由SLC制程转为MLC制程中,与之对应,SD存储卡生产商使用的控制芯片也要更改设计。过去SLC芯片的NOP(Number of Page)通常是4次,也就是说一颗SLC制程的芯片每页可以写4次(共分为4个区块),而MLC制程芯片的NOP只能有1次,即整页一次写入方式, "如果MLC制程的芯片仍按照过去设计,将NOP写入次数设定在1次以上,很容易造成数据流失"。</P>
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本帖最后由 数据恢复 于 07-03-23 15:32 编辑 ]
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