Wolfspeed（科锐旗下公司，目前正在与德国英飞凌收购洽谈中）推出了一款碳化硅（SiC）的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其功率和电压额定值分别为196 A、900V，导通电阻值为10 mΩ，其电流额定值为25℃下的连续漏极电流值。

最初，MOSFET被用于裸芯片内，零部件编号为CPM3-0900-0010A，如今可从SemiDice处购得。据估计，在未来数周（在2017年1月）内，Wolfspeed将发布相关的4L-TO247封装分立器件（discrete device），后者零件号为C3M0010090K。
该封装器件有一个凯尔文源连接（Kelvin-source connection），工程师们可借助其创造设计作品，将碳化硅的传导速度和能效提升至极致。该款商用产品已通过认证，额定最大操作温度为175℃，在诸如车辆传动系统内等恶劣环境下，Wolfspeed旗下新款芯片的可靠性。
按照美国环境保护署（EPA）发布的联合城市/公路里程标准，该芯片能够将电动车用动力系统逆变器的能量损耗骤降78%。在车辆续航里程数、电池使用率和车辆设计方面，这一能效的大幅提升为设计者们提供了更多的提升空间。

Wolfspeed的首席技术官John Palmour称：“随着这款 900V 10mΩ商用版芯片的发布，电动车能够借助碳化硅的性能优势大幅提升能量转换。我们会在新封装选配件中扩充旗下第三代金属氧化物半导体场效应管（Gen3 MOSFET）产品组合，我们的器件能够对车载充电器（onboard chargers）、非车载充电器（offboard chargers）和电动车驱动系统的能效提升起到促进作用。”
Wolfspeed发言人补充道，公司最近为福特汽车供货，目前与美国能源部也有合作，致力于一款全碳化硅材质额定功率为400 A的芯片电源模块，电压、电流的设计值分别为900V和10Ω。该芯片模块由Wolfspeed设计生产，并联了四个MOSFETs，导通电阻有效值为2.5 mΩ。Wolfspeed工程师们已演示过，采用这类芯片后，该电源模块的性能将达到800 A、1.25 mΩ。

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